|
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
370 |
88 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
473 |
93 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
363 |
99 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
456 |
98 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
371 |
92 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
504 |
102 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
591 |
107 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
376 |
95 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
|
0.61 |
368 |
72 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
368 |
94 |
|
|
|
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
737 |
118 |
|
|
|
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
625 |
122 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
802 |
186 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
490 |
94 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
404 |
83 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
601 |
116 |
|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
507 |
89 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
379 |
85 |
|
|
|
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
736 |
123 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
617 |
105 |
|
|
|
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
499 |
97 |
|
|
|
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
392 |
90 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
539 |
109 |
|
|
|
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
382 |
87 |
|
|
|
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
701 |
156 |
|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
474 |
94 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
383 |
82 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
|
0.61 |
402 |
74 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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