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|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
502 |
88 |
|
|
|
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
494 |
96 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
467 |
93 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
581 |
106 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
533 |
108 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
798 |
186 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
451 |
98 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
484 |
93 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
499 |
100 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
377 |
79 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
597 |
114 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
399 |
83 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
363 |
93 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
366 |
87 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
372 |
95 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
374 |
85 |
|
|
|
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
376 |
86 |
|
|
|
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
386 |
90 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
611 |
105 |
|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
469 |
93 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
463 |
88 |
|
|
|
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
730 |
123 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.56 |
357 |
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Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
378 |
81 |
|
|
|
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
694 |
156 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.56 |
367 |
92 |
|
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|
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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