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Author Name
Adolfo Hilario Caballero
(21)
Alfonso Vara de Llano
(21)
Carlos de Mora Buendía
(21)
Eugenio López Aldea
(21)
Fernando Yeves Gutiérrez
(21)
Published Date
2004
(21)
Display Type
Objeto de aprendizaje
(21)
Keywords
Electrónica
(21)
http://udcdata.info/042064
(21)
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
800
186
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
491
101
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
504
89
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
487
94
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
469
93
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
472
94
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
1232
127
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
467
88
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
584
107
Equivalente en alterna en pequeña señal del transistor BJT. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
640
110
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
454
98
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
725
112
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
600
116
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
503
102
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
624
121
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
614
105
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
698
156
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
734
118
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
733
123
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
536
109
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.55
498
96