Search Results (All Fields:"modelos", Display Type:"Objeto de aprendizaje", Date:" [2004\-01\-01T00\:00\:00Z TO 2004\-12\-31T00\:00\:00Z] ", isMemberOf:"oaingeec:ing-elec-col-02721ff70b004")

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Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 379 79
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R2 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 360 78
Modelo de contínua del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 361 86
Modelo de alterna del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 344 68
Modelo de fuente real de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 391 80
Modelo analítico del diodo. Variación del coeficiente de emisión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 536 111
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 370 88
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 373 71
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 363 99
Simulación Problema P7.6 Modelo en pequeña señal del circuito del apart. b) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 344 74
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 725 113
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 382 82
Solución gráfica del modelo analítico del diodo (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 551 72
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 1234 128
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 504 102
Modelo analítico del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 345 70
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 376 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 368 94
Diodo ideal. Modelo SPICE. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 1040 171
Modelo ideal del amplificador operacional. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 464 89
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 404 83
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 601 116
Modelo de contínua del diodo. Variación de la tensión V1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 345 71
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 379 85
Modelo de fuente real de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.85 341 71