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Características de los CI 2N2222 y 1N4148. (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.23 690 88
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.16 394 75
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.16 361 63
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.16 375 58
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.16 388 71
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.16 406 60
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.16 427 77
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.13 384 99
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 379 79
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 394 90
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 494 101
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 370 88
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 473 93
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 363 99
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 456 98
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 371 92
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 504 102
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 591 107
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 376 95
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.13 368 72
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 368 94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 737 118
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 625 122
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 802 186
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 490 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 404 83
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 601 116
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 507 89
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 379 85
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 736 123
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 617 105
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 499 97
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 701 156
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 474 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 383 82
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.13 402 74
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 471 89
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 392 90
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 539 109
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.13 382 87