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Características de los CI 2N2222 y 1N4148. (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.66 690 88
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.63 394 75
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.63 361 63
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.63 375 58
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.63 388 71
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.63 406 60
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.63 427 77
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.61 384 99
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 379 79
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 394 90
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 494 101
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 370 88
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 473 93
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 363 99
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 456 98
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 371 92
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 504 102
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 591 107
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 376 95
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.61 368 72
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 368 94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 737 118
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 625 122
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 802 186
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 490 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 404 83
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 601 116
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 379 85
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 736 123
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 617 105
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 499 97
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 392 90
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 539 109
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 382 87
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 701 156
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 474 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 383 82
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  2.61 402 74
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 471 89
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  2.61 508 89