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Características de los CI 2N2222 y 1N4148. (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.12 680 87
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.05 383 71
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.05 400 59
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.05 372 58
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.05 392 75
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.05 360 63
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.05 425 76
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 800 186
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 583 107
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 466 88
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 496 96
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 491 101
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 504 89
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 452 98
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 487 94
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 469 93
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 378 87
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 388 90
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 378 79
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 368 87
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 374 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 379 81
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 696 156
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 732 118
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 731 123
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 368 92
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.01 363 72
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 391 90
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.01 397 74
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 361 99
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 613 105
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 367 93
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 620 121
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 472 94
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 535 108
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 403 83
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.01 383 98
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 599 115
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 376 85
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.01 501 102