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Comella Gutiérrez, Beatriz (2004). La jurisdicción eclesiástica palatina en el Real Monasterio de Santa Isabel de Madrid, durante el primer tercio del siglo XX, según el "Libro de profesiones". En La jurisdicción eclesiástica palatina en el Real Monasterio de Santa Isabel de Madrid, durante el primer tercio del siglo XX, según el "Libro de profesiones" (pp. -) San Lorenzo del Escorial : Instituto Escurialense de Investigaciones Históricas y Artísticas.  1.42 299 36
Temporizador 555.  (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 402 68
Funciones no lineales con AO. Comparador. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 170 24
Funciones lineales con AO. Integrador inversor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 257 40
Funciones lineales con AO. Seguidor de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 319 26
Funciones lineales con AO. Amplificador sumador inversor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 396 35
Tensión offset del amplificador real. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 478 50
Amplificador ideal inversor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 469 83
Modelo ideal del amplificador operacional. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 236 34
Equivalente en alterna en pequeña señal del transistor BJT. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 366 45
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 545 70
Amplificador real. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 376 72
Amplificador ideal de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 451 82
Amplificador ideal de transresistencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 670 86
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 264 51
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 275 41
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 371 58
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 285 44
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 397 51
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 249 36
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 240 42
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 181 30
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 174 43
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 174 32
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 166 38
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 169 28
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 171 28
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 397 53
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 282 40
Doblador de tensión con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 709 82
Fijador de mínima tensión negativa con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 157 21
Fijador de máxima tensión negativa con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 170 24
Fijador de mínima tensión positiva con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 214 27
Recortador de máxima tensión positiva y mínima tensión negativa con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 255 41
Recortador de mínima tensión negativa con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 224 42
Recortador de máxima tensión negativa con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 151 30
Recortador de mínima tensión positiva con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 173 25
Recortador de máxima tensión positiva con diodos. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 173 26
Modelo de alterna del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 154 20
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R2 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 160 21
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 181 21
Diodo. Variación de los parámetros de dipolo. Variación de la tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 411 62
Modelo analítico del diodo. Variación del coeficiente de emisión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 305 56
Fuente dependiente tensión-tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 270 50
Modelo de fuente real de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 154 25
Fuente ideal de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 176 26
Modelo de fuente real de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 182 26
Transformador ideal alimentado con una fuente de tensión alterna. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 584 114
Bobina ideal alimentada con una fuente de tensión alterna. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 480 72
Condensador ideal. Carga con una fuente de tensión contínua. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.42 391 60

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