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Transistores: BJT y JFET (5)  1.80  
Transistores bipolares (40)  1.80  
Circuitos amplificadores con transistores  1.80  
Transistores de efecto campo (49)  1.80  
Mira Mira, José . (1998) Efemérides: Su excelencia el Transistor cumple cincuenta años.  1.21 302 500
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Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 1219 122
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 712 108
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 478 95
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 473 88
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 456 88
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 788 181
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 568 101
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 489 85
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 517 104
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 442 92
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 586 110
Equivalente en alterna en pequeña señal del transistor BJT. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 625 104
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 600 100
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 453 84
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 718 113
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 717 118
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 679 151
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 604 117
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 483 91
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 489 96
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  0.86 458 88
Godoy, A., Jiménez, J.A. y Luque, A.(1970) .Simulador versátil de dispositivos electrónicos basado en el transistor de efecto campo de cuatro puertas (G4-FET). .En: . ()  0.85 852 434
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